Transistörler - IGBT - Tekil
HGT1S10N120BNS
IGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS Hakkında
HGT1S10N120BNS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 35A collector akımı ve 1200V collector-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir half-bridge anahtarlaması bileşenidir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi kullanılmış olup, 298W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.7V olup, hızlı anahtarlama karakteristiği (on: 23ns, off: 165ns) sayesinde kayıp gücü en aza indirmektedir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 298 W |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok