Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
HFA3127MJ/883
DUAL MARKED (5962-9474901MEA)
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 16-CERDIP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- HFA3127
HFA3127MJ/883 Hakkında
HFA3127MJ/883, Rochester Electronics tarafından üretilen dual marked NPN bipolar junction transistördür. RF uygulamaları için tasarlanan bu transistör, 8GHz transition frequency ve 65mA maksimum kollektör akımı ile yüksek frekans haberleşme sistemlerinde kullanılır. 3.5dB tipik noise figure (1GHz'de), 40 minimum DC current gain ve 12V kollektör-emitter breakdown voltajı ile karakterize edilir. -55°C ile 125°C çalışma sıcaklık aralığında 150mW güç dağıtabilir. Through hole montajlı 16-CERDIP paketinde sunulan bu bileşen, uydu haberleşesi, radyo frekans alıcı devreleri ve düşük gürültü amplifikatör tasarımlarında uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | 16-CERDIP |
| Transistor Type | 5 NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok