Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HERF1008GAHC0G
DIODE, HIGH EFFICIENT
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HERF1008GAHC0G
HERF1008GAHC0G Hakkında
HERF1008GAHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1000V 10A kapasiteli fast recovery diyotudur. TO-220-3 Full Pack izole tab paketinde sunulan bu doğrultma diyotu, 80ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 1.7V forward voltage @ 5A ile düşük güç kaybı sağlar. İleri yönde 5A'da maksimum 1.7V voltaj düşüşü ve ters yönde 1000V'da 10µA'lık minimum kaçak akımı ile karakterizedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve anahtarlama devrelerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok