Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HERF1007GAHC0G
DIODE, HIGH EFFICIENT
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HERF1007
HERF1007GAHC0G Hakkında
HERF1007GAHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 800V 10A hızlı iyileşmeli doğrulttucu diyottur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler ve güç dönüştürücülerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80ns reverse recovery time ile düşük iletim kaybı sağlayan diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. Forward voltage 1.7V @ 5A'de ölçülmüş olup, 10µA reverse leakage current özelliğine sahiptir. Hızlı anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sunan bu komponent, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok