Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

HERAF807G

DIODE GEN PURP 8A 800V IT0-220AC

Paket/Kılıf
TO-220-2 Full Pack
Seri / Aile Numarası
HERAF807G

HERAF807G Hakkında

HERAF807G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 8A 800V genel amaçlı doğrulttucu diyottur. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu standard diyot, 80 ns reverse recovery time ile fast recovery özelliğine sahiptir. 1.7 V forward voltage @ 8A ve 10 µA reverse leakage current @ 800V spesifikasyonları ile güç kaynakları, adaptörler ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, yüksek voltajlı devreler ve doğrultma uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 800 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 80 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package ITO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok