Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HERAF1008G
DIODE GEN PURP 10A 1000V IT0-220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HERAF1008G
HERAF1008G Hakkında
HERAF1008G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 10A/1000V kapasiteli genel amaçlı bir doğrultma diyotudur. TO-220-2 through hole paketinde sunulan bu bileşen, 80 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.7V forward voltage düşüşü ile güç kaybını minimize eder. Maksimum 10 µA reverse leakage akımı, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, konvertörler, invertörler ve yüksek gerilim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok