Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HERAF1007G
DIODE GEN PURP 10A 800V IT0-220A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HERAF1007G
HERAF1007G Hakkında
HERAF1007G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen standart doğrultma diyotudur. 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 800V ters voltaj yeteneği ile genel amaçlı güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, ±80 ns hızlı geri kazanım süresi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan diyot, AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 1.7V @ 10A forward voltaj ve 10µA @ 800V ters kaçak akımı özellikleri ile güvenilir doğrultma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok