Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HERAF1006G
DIODE GEN PURP 10A 600V IT0-220A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HERAF1006G
HERAF1006G Hakkında
HERAF1006G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 10A/600V kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. TO-220-2 kasa tipinde Through Hole montajı ile tasarlanmıştır. Fast Recovery tipinde çalışan bu bileşen 80 ns ters kurtarma zamanına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilen diyot, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. 1.7V maksimum ileri gerilim ve 10 µA ters kaçak akımı ile verimli doğrultma performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok