Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER606G B0G
DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER606G
HER606G B0G Hakkında
HER606G B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 6A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. Fast Recovery kategorisinde yer alan bu bileşen, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunar. R-6 Axial paket tipi ile through hole montajına uygun olan diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.7V forward voltage ve 10 µA reverse leakage özellikleri ile güç kaynakları, invertör devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 65pF kapasitans değeri ile yüksek frekanslı uygulamalarda da uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok