Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER603G B0G
DIODE GEN PURP 200V 6A R-6
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER603G
HER603G B0G Hakkında
HER603G B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 200V 6A kapasiteli standart doğrultma diyotudur. Fast recovery karakteristiği ile 50 ns reverse recovery time sunarak AC/DC güç uygulamalarında verimli komütasyon sağlar. 1V @ 6A forward voltage ile düşük ısıl kaybı, R-6 axial paket ile through-hole montajı destekler. -55°C ~ 150°C çalışma aralığında endüstriyel ve ticari güç kaynakları, invertörler ve denetlenmiş doğrultıcı devrelerinde kullanılır. 10µA @ 200V reverse leakage karakteristiği ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok