Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER602G R0G
DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER602G
HER602G R0G Hakkında
HER602G R0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 100V 6A kapasitesinde genel amaçlı fast recovery diyotudur. R-6 axial pakette sunulan bu bileşen, 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1V forward voltage düşüşü ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Güç kaynakları, anahtarlamacı devreleri ve kontrol elektroniklerinde tercih edilen bu diyot, 10µA leakage current ile minimum enerji kaybı garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok