Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER602G
DIODE GEN PURP 6A 100V R-6
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER602G
HER602G Hakkında
HER602G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip genel amaçlı fast recovery diyotudur. 100V ters gerilim dayanımı ve 50ns ters iyileşme süresi ile anahtarlama devrelerinde, AC doğrultma uygulamalarında ve güç kaynakları ile inverter tasarımlarında kullanılır. 1V maximum forward voltage düşüşü ile verimli güç dönüştürme sağlar. R-6 axial through-hole paketine sahip olup -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. 80pF kapasitans değeri ve 10µA ters sızıntı akımı ile kompakt elektronik sistemlerde güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok