Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER3L03G
50NS, 3A, 200V, HIGH EFFICIENT R
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER3L03G
HER3L03G Hakkında
HER3L03G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 3A 200V hızlı iyileşme diyotudur. 50 nanosaniye reverse recovery time ile doğrultucu uygulamalarda düşük anahtarlama kaybı sağlar. DO-201AD axial paket ile through-hole montajına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 3µA ters kaçak akımı ve 1.3V ileri gerilim düşümü özellikleriyle AC/DC dönüştürücü, güç kaynakları ve endüstriyel doğrultma devrelerinde kullanılır. 54pF kapasitans değeri yüksek frekans uygulamalarında tasarım esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 54pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok