Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HER306G B0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HER306G
HER306G B0G Hakkında
HER306G B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V/3A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-201AD axial paketinde sunulan bu bileşen, fast recovery tipi diyot olarak sınıflandırılır ve 75 ns reverse recovery time değerine sahiptir. 1.7V forward voltage ve 10µA reverse leakage karakteristiğine sahip olan HER306G, AC/DC güç kaynakları, adaptörler, şarj devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında doğrultma işlemi için kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 35pF kapasitans değeri ile yüksek frekans uygulamalarında da tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok