Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

HER108T/R

DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
HER108

HER108T/R Hakkında

HER108T/R, EIC Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme (fast recovery) diyotudur. 1000V ters gerilim yeteneği ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve oto-restore uygulamalarında kullanılır. 75ns ters kurtarma zamanı (trr) sayesinde düşük elektromanyetik girişim (EMI) ve düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Through-hole montajlı DO-41 paketinde sunulan bu diyot, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.7V ileri gerilim düşümüne sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 1000 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 75 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-41
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 1 A

Kaynaklar

Datasheet

HER108T/R PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok