Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HCT802TX

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

Üretici
TT Electronics
Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
HCT802TX

HCT802TX Hakkında

HCT802TX, TT Electronics tarafından üretilen 90V drain-source gerilimi ile çalışan dual N ve P-channel MOSFET transistörüdür. Surface mount 6-SMD paketinde sunulan bu bileşen, N-channel versiyonda 2A, P-channel versiyonda 1.1A sürekli drenaj akımı sağlar. Maximum 500mW güç yönetebilen transistör, 5Ohm on-state direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç tüketimine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve genel lojik seviyesi transistör uygulamalarında kullanılır. 2.5V eşik gerilimi ile standart lojik seviyesi sürücülere uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, No Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 6-SMD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok