Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HCT802

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

Üretici
TT Electronics
Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
HCT802

HCT802 Hakkında

HCT802, TT Electronics tarafından üretilen dual MOSFET transistör olup N-Channel ve P-Channel konfigürasyonunda sunulmaktadır. 90V drain-source voltaj deşmesi ile 2A (N-Channel) ve 1.1A (P-Channel) continuous drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount 6-SMD paketinde tasarlanmış olan bu bileşen, 500mW maksimum güç dağıtımı sağlar. Vgs(th) 2.5V @ 1mA ve RDS(on) 5Ω @ 1A, 10V değerleriyle komütatör uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve entegre amplifikatör devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uyumluluk sunar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, No Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 6-SMD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok