Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

HBDM60V600W-7

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
HBDM60V600W

HBDM60V600W-7 Hakkında

HBDM60V600W-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen complementary NPN/PNP transistör dizisidir. Surface Mount SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, 65V/60V collector-emitter breakdown voltajına ve 500-600mA collector akımına kadir. 100MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile düşük gürültülü sinyal işleme, pre-amplifier devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında 200mW maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-363
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V, 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok