Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HAT1126RWS-E
MOSFET P-CH SOP8
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- HAT1126RWS
HAT1126RWS-E Hakkında
HAT1126RWS-E, Renesas Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. SOP8 yüzey montaj paketi içinde iki adet P-kanal metal-oksit-yarıiletken transistör barındırır. Logic level gate sürüşü özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 60V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50mOhm on-resistance (RDS-on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, ve yük kontrolü gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilir. SOP8 paketi kompakt tasarımlara uygunluk sağlar. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok