Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11G2M

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-DIP
Seri / Aile Numarası
H11G2M

H11G2M Hakkında

H11G2M, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim optoizolatör (optokuplör) bileşenidir. 4170Vrms izolasyon gerilimi ile giriş ve çıkış devrelerini elektriksel olarak ayırır. Darlington transistör çıkışı ve baz pimi ile tasarlanmış olup, 1000% minimum akım transfer oranı sağlar. DC giriş sinyallerine karşılık duyarlı olan bu komponent, 60mA maksimum ileri akım ile çalışır. 5µs açılma ve 100µs kapanma süresiyle hızlı komütasyon yapabilir. -40°C ile +100°C arasında güvenilir şekilde çalışan H11G2M, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve galvanik izolasyon gereken uygulamalarda kullanılır. Through hole montaj tipi ile 6-DIP paket şeklinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 60 mA
Current Transfer Ratio (Min) 1000% @ 10mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -40°C ~ 100°C
Output Type Darlington with Base
Part Status Active
Supplier Device Package 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ) 5µs, 100µs
Vce Saturation (Max) 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.3V
Voltage - Isolation 4170Vrms
Voltage - Output (Max) 80V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok