Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11G1M

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-DIP
Seri / Aile Numarası
H11G1M

H11G1M Hakkında

H11G1M, onsemi tarafından üretilen 4.17kV izolasyon gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında galvanik izolasyon sağlayan optoizolatördür. Darlington transistör çıkışlı tasarımı ile giriş sinyalinin elektriksel olarak izole edilmiş şekilde çıkışa aktarılmasını sağlar. 1000% minimum Current Transfer Ratio değeri ile 10mA giriş akımında yüksek anahtarlama hızı ve güvenilir sinyal iletimi sunar. 60mA maksimum DC forward akımı, 1V maksimum Vce saturation gerilimi ve 100V maksimum çıkış gerilimi ile endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüler, güç yönetim devreleri ve yüksek voltaj izolasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır. Through-hole 6-DIP paket ile PCB'ye montajı kolaydır. -40°C ile 100°C arasında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 60 mA
Current Transfer Ratio (Min) 1000% @ 10mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -40°C ~ 100°C
Output Type Darlington with Base
Part Status Active
Supplier Device Package 6-DIP
Vce Saturation (Max) 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.3V
Voltage - Isolation 4170Vrms
Voltage - Output (Max) 100V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok