Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11B2M-V

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Paket/Kılıf
6-DIP
Seri / Aile Numarası
H11B2M

H11B2M-V Hakkında

H11B2M-V, Everlight Electronics tarafından üretilen 5000Vrms izolasyon gerilimi ile yüksek voltaj izolasyonu sağlayan optokuplör entegre devresidir. Darlington transistör çıkışlı yapısı ve taban bağlantısı ile tasarlanan bu komponent, 60mA maksimum DC ileri akımı destekler. %200 minimum akım transfer oranı ile güvenilir sinyal aktarımı yapılır. Giriş ve çıkış devreleri arasında gal vanik izolasyon sağlayarak, güç elektroniği uygulamalarında, motor kontrollerinde, inverter devreleri ve AC/DC güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 6-DIP through-hole paketinde sunulan H11B2M-V, -55°C ile 100°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 25µs açılma ve 18µs kapanma süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 60 mA
Current Transfer Ratio (Min) 200% @ 1mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Darlington with Base
Part Status Active
Supplier Device Package 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ) 25µs, 18µs
Vce Saturation (Max) 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5000Vrms
Voltage - Output (Max) 55V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok