Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11B2

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-DIP
Seri / Aile Numarası
H11B2

H11B2 Hakkında

H11B2, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon voltajına sahip optoisolatör bileşenidir. Darlington çıkışlı transistor yapısına sahip bu komponent, giriş ve çıkış devrelerinin elektriksel olarak izole edilmesini sağlar. 100 mA maksimum DC forward akımı ve 200% minimum akım transfer oranı ile çalışan H11B2, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj izolasyonunun gerekli olduğu devrelerde kullanılır. Through-hole DIP-6 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 100°C arasında stabil performans gösterir. 25µs açılış ve 18µs kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 100 mA
Current Transfer Ratio (Min) 200% @ 1mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Darlington with Base
Part Status Obsolete
Supplier Device Package 6-DIP
Turn On / Turn Off Time (Typ) 25µs, 18µs
Vce Saturation (Max) 1V
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 25V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok