Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11A817W

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
H11A817W

H11A817W Hakkında

H11A817W, onsemi tarafından üretilen 5.3kVrms izolasyon voltajına sahip optoizolatördür. Transistör çıkışlı tasarımıyla LED giriş ve NPN transistör çıkış konfigürasyonuna sahiptir. Through hole 4-DIP paketinde sunulan bu bileşen, giriş akımı maksimum 50mA, çıkış akımı 50mA ve current transfer ratio 50%-600% aralığında çalışır. 70V maksimum çıkış voltajı ve 200mV saturation voltajı ile güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel otomasyonda sinyal izolasyonu sağlamak için kullanılır. -55°C ile 100°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 50 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 50% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Transistor
Part Status Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 70V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok