Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11A817DW

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
H11A817

H11A817DW Hakkında

H11A817DW, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyonlu optoizolatördür. Transistor çıkışlı bu bileşen, galvanik izolasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır. 300-600% CTR (akım transfer oranı) ile belirtilen giriş-çıkış akım ilişkisini sağlar. 50mA maksimum çıkış akımı ve 70V maksimum çıkış gerilimi kapasitesi bulunmaktadır. 2.4µs rise/fall time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Through-hole DIP-4 paketinde sunulan bileşen, motor kontrol, ışık denetim devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 100°C arasında çalışmaya uygundur. Mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 50 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 300% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Transistor
Part Status Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 70V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok