Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11A817D

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
H11A817D

H11A817D Hakkında

H11A817D, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon voltajına sahip optoizolatördür. Transistör çıkışlı bu bileşen, galvanik izolasyon gereken uygulamalarda giriş ve çıkış devrelerini elektriksel olarak ayırmak için kullanılır. 4-DIP through-hole paketinde sunulan bileşen, 50mA maksimum DC ileri akımı ve 300-600% arasında değişen Current Transfer Ratio ile karakterizedir. -55°C ile 100°C arasında çalışabilen H11A817D, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devresi ve sinyal yalıtımı gereken uygulamalarda tercih edilir. 2.4µs yükselme/düşme zamanı ve 70V maksimum çıkış voltajı ile düşük hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 50 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 300% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Transistor
Part Status Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 70V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok