Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11A817BW

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
H11A817

H11A817BW Hakkında

H11A817BW, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon gerilimine sahip optoizolatör bileşenidir. Transistör çıkışlı tasarım ile giriş ve çıkış tarafları arasında yüksek voltaj izolasyonu sağlar. 50mA maksimum çıkış akımı ve 130-260% arasında akım transfer oranı ile çalışır. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan yerleştirilebilir. -55°C ile +100°C sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve sinyal izolasyonu gereken alanlarda kullanılır. 4-DIP paket ile kompakt tasarım sunar. Dijital sinyal izolasyonu ve güvenliğin kritik olduğu sistemlerde tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 50 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 260% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 130% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Transistor
Part Status Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 70V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok