Optoizolatörler - Transistör, Fotovoltaik Çıkışlı

H11A817B300

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-DIP
Seri / Aile Numarası
H11A817B

H11A817B300 Hakkında

H11A817B300, onsemi tarafından üretilen 5.3kV izolasyon voltajına sahip optoizolatör bileşenidir. Transistör çıkışlı bu komponent, 1 kanal ile çalışır ve giriş olarak DC sinyali alır. 50mA maksimum forward akımı ile tasarlanmış, transistor çıkışında 70V maksimum gerilim sağlayabilir. 130-260% arasında Current Transfer Ratio değerine sahiptir. 2.4µs rise ve fall time ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 4-DIP through hole paket ile PCB'ye monte edilir. -55°C ile 100°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, sinyal izolasyonu gereken endüstriyel, tıbbi ve telekomünikasyon uygulamalarında kullanılır. Vce saturation voltajı 200mV'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - DC Forward (If) (Max) 50 mA
Current - Output / Channel 50mA
Current Transfer Ratio (Max) 260% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 130% @ 5mA
Input Type DC
Mounting Type Through Hole
Number of Channels 1
Operating Temperature -55°C ~ 100°C
Output Type Transistor
Part Status Obsolete
Rise / Fall Time (Typ) 2.4µs, 2.4µs
Supplier Device Package 4-DIP
Vce Saturation (Max) 200mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Voltage - Isolation 5300Vrms
Voltage - Output (Max) 70V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok