Transistörler - IGBT - Tekil

GT8G133(TE12L,Q)

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
GT8G133

GT8G133(TE12L,Q) Hakkında

GT8G133(TE12L,Q), Toshiba tarafından üretilen 400V kollektör-emitter arakesit voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 150A darbe kollektör akımı ve 600mW maksimum güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7µs açılış ve 2µs kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface mount paketinde (8-TSSOP) tasarlanmış olup, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Endüstriyel güç dönüştürücü, motor sürücüleri ve anahtarlama regülatör tasarımlarında yaygın olarak uygulanmıştır. Bileşen şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 600 mW
Supplier Device Package 8-TSSOP
Td (on/off) @ 25°C 1.7µs/2µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok