Transistörler - IGBT - Tekil
GT60N321(Q)
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- Paket/Kılıf
- TO-3PL
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT60N321
GT60N321(Q) Hakkında
GT60N321(Q), Toshiba tarafından üretilen 1000V/60A IGBT transistördür. TO-3PL paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim ve akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 170W güç yayabilme kapasitesine sahip olan transistör, 330ns açılış ve 700ns kapanış gecikmesi sürelerine sahiptir. Vce(on) değeri 60A'de 2.8V olup, 2.5µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda kullanım için uygundur. Pulse akımı 120A'ye kadar çıkabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PL |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 170 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5 µs |
| Supplier Device Package | TO-3P(LH) |
| Td (on/off) @ 25°C | 330ns/700ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok