Transistörler - IGBT - Tekil
GT50J121(Q)
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
- Paket/Kılıf
- TO-3PL
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT50J121
GT50J121(Q) Hakkında
GT50J121(Q), Toshiba tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3PL paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A sürekli kolektör akımı ve 100A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 240W güç derecesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce(on) voltajı 2.45V (15V gate voltajında, 50A'da) olup, switching delay süresi 90ns (on) ve 300ns (off) şeklindedir. Operating junction sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Anahtarlama enerjisi 1.3mJ (on) ve 1.34mJ (off) değerlerindedir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, invertörler ve diğer güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PL |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 240 W |
| Supplier Device Package | TO-3P(LH) |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 90ns/300ns |
| Test Condition | 300V, 50A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok