Transistörler - IGBT - Tekil
GT30N135SRA,S1E
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT30N135SRA
GT30N135SRA,S1E Hakkında
GT30N135SRA,S1E, Toshiba tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 60A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, şalter modlu güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel invertör sistemlerinde kullanılır. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük açılış kayıpları sağlar. Maksimum 348W güç taşıyabilir ve 175°C'ye kadar çalışabilir. 270nC gate charge ve 1.3mJ kapalı anahtarlama enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 270 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 348 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | -, 1.3mJ (off) |
| Test Condition | 300V, 60A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok