Transistörler - IGBT - Tekil
GT30J341,Q
IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT30J341
GT30J341,Q Hakkında
GT30J341,Q, Toshiba tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A collector akımında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 230W güç kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında, invertör devreleri, motor kontrol sistemleri ve kaynak cihazlarında kullanılır. 2V düşük VCE(on) değeri ile enerji kayıplarını minimize eder. 50ns reverse recovery time ve 800µJ on-switching, 600µJ off-switching enerjisi ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına uygundur. 175°C maksimum junction sıcaklığında güvenli işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 59 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Switching Energy | 800µJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 80ns/280ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok