Transistörler - IGBT - Tekil
GT20N135SRA,S1E
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT20N135SRA
GT20N135SRA,S1E Hakkında
GT20N135SRA,S1E, Toshiba tarafından üretilen yüksek voltaj Discrete IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1350V breakddown voltajı ve 40A collector akımı ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.4V on-state voltajı ve 185nC gate charge karakteristiği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında 312W güç kapasitesiyle, güç elektronikleri, motor kontrolü, kaynak cihazları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyon mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 185 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 312 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | -, 700µJ (off) |
| Test Condition | 300V, 40A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok