Transistörler - IGBT - Tekil
GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GT10J312
GT10J312(Q) Hakkında
GT10J312(Q), Toshiba tarafından üretilen 600V 10A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. Collector-Emitter gerilimi 2.7V (15V gate voltajında, 10A'de) ve 400ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 20A pulse current kapasitesiyle geçici yüksek akım durumlarına dayanabilir. Ürün Toshiba katalogunda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Supplier Device Package | TO-220SM |
| Td (on/off) @ 25°C | 400ns/400ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok