IGBT Transistörler - Modüller

GSID600A120S4B1

IGBT MOD 1200V 1130A 3060W

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
GSID600A120S4B

GSID600A120S4B1 Hakkında

SemiQ tarafından üretilen GSID600A120S4B1, Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış yüksek akım IGBT modülüdür. 1200V desen gerilimi ve 1130A maksimum collector akımı ile 3060W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 600A akımda 2.1V olarak belirlenmiştir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlar. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve enerji yönetim uygulamalarında kullanılır. 51 nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 1130 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 51 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 3060 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok