IGBT Transistörler - Modüller

GSID200A170S3B1

IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1 Hakkında

SemiQ tarafından üretilen GSID200A170S3B1, 1200V kolektör-emiter gerilimi ve 400A maksimum kolektör akımına sahip bir IGBT modülüdür. D-3 kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanan bu komponent, 1630W maksimum güç kapasitesine sahiptir. İki bağımsız IGBT yapılandırmasına sahip olan modül, -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında çalışır. Vce(on) değeri 200A akımda ve 15V gerilimde 1.9V'tur. 26 nF giriş kapasitansı (Cies) ile karakterize edilen bu modül, endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, motor kontrol sistemlerinde ve traction uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 400 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 26 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case D-3 Module
Part Status Active
Power - Max 1630 W
Supplier Device Package D3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok