IGBT Transistörler - Modüller

GSID100A120T2C1A

IGBT MOD 1200V 200A 800W

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A Hakkında

SemiQ GSID100A120T2C1A, üç fazlı invertör uygulamaları için tasarlanmış IGBT transistör modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 200A maksimum collector akımı ile güçlü anahtarlama performansı sağlar. Chassis mount montaj tipi ile endüstriyel ve ticari enerji dönüştürme sistemlerine entegre edilir. Yerleşik NTC thermistor ile sıcaklık kontrolü, -40°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ve maksimum 800W güç tüketimi özellikleri taşır. Üç fazlı köprü doğrultucu girişi ile doğrudan AC/DC dönüştürücülerde, UPS sistemlerinde ve endüstriyel sürücü aplikasyonlarında kullanılmaktadır. 2.1V Vce(on) değeri ile verimli enerji iletimi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 200 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.7 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 800 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok