IGBT Transistörler - Modüller
GSID100A120T2C1
IGBT MOD 1200V 200A 640W
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- GSID100A120T2C1
GSID100A120T2C1 Hakkında
SemiQ tarafından üretilen GSID100A120T2C1, three phase inverter konfigürasyonunda tasarlanmış 1200V, 200A kapasiteli IGBT modülüdür. 640W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 100A akımda 2.1V'dir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık koruması sağlar. Chassis mount tipi kasa ile sabit montaj yapılır. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT modülü, AC/DC dönüştürme sistemlerinde, motor kontrol uygulamalarında ve yüksek güçlü switching devrelerde tercih edilir. 13.7nF input kapasitanı ile düşük drive kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13.7 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 640 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok