IGBT Transistörler - Modüller

GSID100A120S5C1

IGBT MOD 1200V 170A 650W

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1 Hakkında

SemiQ tarafından üretilen GSID100A120S5C1, Three Phase Inverter konfigürasyonunda tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V voltaj yönetimi kapasitesi ve 170A maksimum collector akımı ile enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 650W maksimum güç derecelendirmesi, Vce(on) değeri 2.1V @ 15V, 100A koşullarında ölçülmüştür. Chassis mount tipi montaj ile endüstriyel panellere entegre edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışan cihazlara uygun olup, dahili NTC thermistor özelliği sayesinde sıcaklık kontrolü sağlar. Input Capacitance (Cies) 13.7 nF @ 25V'tür. Güç elektronikleri, motor sürücüleri ve inverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 170 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.7 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 650 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok