Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPAS1007 MNG
DIODE GEN PURP 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPAS1007
GPAS1007 MNG Hakkında
GPAS1007 MNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 10A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1.1V maksimum forward voltajı ve 5µA reverse leakage akımı ile güç kaynağı devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve indüktif yük uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan diyot, standard recovery karakteristiği ile genel endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok