Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPAS1006 MNG
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPAS1006
GPAS1006 MNG Hakkında
GPAS1006 MNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 800V DC ters voltaj ve 10A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında doğrultma işlevi gerçekleştirir. 1.1V ileri gerilim düşümü ve 5µA ters sızıntı akımı ile verimli çalışma sağlar. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Standart hızda iyileşme karakteristiğine sahip olup, ağır yüklemeler ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok