Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPAS1003 MNG
DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPAS1003
GPAS1003 MNG Hakkında
GPAS1003 MNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 200V ters voltaj kapasitesi ve 10A ortalama doğrultma akımı ile AC/DC güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, adaptörler, şarj devreleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, 1.1V maximum forward voltaj düşümü ve 5µA reverse leakage akımı ile karakterizedir. Standard recovery hızı (>500ns) ile hızlı anahtarlama gerektirmeyen uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok