Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPAS1001 MNG
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPAS1001
GPAS1001 MNG Hakkında
GPAS1001 MNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 50V maksimum ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle, güç kaynakları, invertörler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.1V maksimum ileri voltajı (10A'da) ve 5µA ters sızıntı akımı (50V'da) özellikleriyle, anahtarlama ve rektifikasyon devrelerinde güvenilir performans sağlar. Standard hızlı iyileşme karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok