Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPA806HC0G
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA806HC0G
GPA806HC0G Hakkında
GPA806HC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen standart recovery diyottur. 800V ters gerilim kapasitesi ve 8A ortalama doğrultma akımı ile güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel doğrultma devrelerinde kullanılır. TO-220-2 paket ile montaj kolaylığı sağlar. 1.1V ileri gerilim düşüşü ve 5µA ters kaçak akımı karakteristikleri ile verimli enerji dönüşümü sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok