Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GPA803HC0G
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA803HC0G
GPA803HC0G Hakkında
GPA803HC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 200V ters voltaj ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-220-2 paketinde üretilen bu diyot, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yer alan doğrultme devrelerinde kullanılır. 1.1V maksimum ön kapanma voltajı ile çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Standard recovery karakteristiği 500ns üzerinde ve 200mA'de belirlenir. Through hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok