Transistörler - IGBT - Tekil

GPA040A120MN-FD

IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
GPA040A120MN

GPA040A120MN-FD Hakkında

GPA040A120MN-FD, SemiQ tarafından üretilen 1200V 80A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P-3 (SC-65-3) paket tipiyle üretilen bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 480W güç dağıtabilir ve 120A pulsed kollektör akımını destekler. 55ns açılış ve 200ns kapanış gecikmesine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) stabil performans sunur. Endüstriyel ve güç dönüştürme devrelerinde, switch-mode güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Hali hazırda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 480 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 480 W
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 55ns/200ns
Test Condition 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok