Transistörler - IGBT - Tekil
GPA040A120L-FD
IGBT 1200V 80A 480W TO264
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-264-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA040A120L
GPA040A120L-FD Hakkında
GPA040A120L-FD, SemiQ tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen 1200V kollektör-emiter gerilimi ve 80A sabit akım (120A darbe akımı) özelliğine sahiptir. Maksimum 480W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, dc-dc dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır. 480nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunarken, 55ns açılış ve 200ns kapanış zamanları ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 480 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 480 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Supplier Device Package | TO-264 |
| Switching Energy | 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 55ns/200ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok