Transistörler - IGBT - Tekil
GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA030A135MN
GPA030A135MN-FDR Hakkında
GPA030A135MN-FDR, SemiQ tarafından üretilen 1350V Trench Field Stop IGBT transistördür. 60A collector akımı ve 329W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmış olup, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürme, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde yer alır. 300nC gate charge ve 4.4mJ açılış / 1.18mJ kapanış switching enerjisi ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) 2.4V (15V, 30A şartlarında), pulsed collector akımı 90A olup, 450ns reverse recovery time'a sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 300 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 329 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/145ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok