Transistörler - IGBT - Tekil
GPA030A120MN-FD
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA030A120MN
GPA030A120MN-FD Hakkında
GPA030A120MN-FD, SemiQ tarafından üretilen 1200V/60A IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 329W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketi ile through-hole montajı destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 330nC gate charge ve 450ns reverse recovery time özellikleriyle orta frekanslı switching uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel sürücü, enerji dönüştürme ve motor kontrol devrelerinde yer alır. Pulsed akım kapasitesi 90A'ya kadar çıkabilir. Part obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 330 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 329 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 4.5mJ (on), 850µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/245ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok